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真空蒸发镀膜过程及蒸发所使用的几种技术

发布时间:2021-11-11 作者:长沙鑫康科研材料服务平台 阅读量:530






真空蒸发


真空蒸发镀膜是将固体材料(简称 蒸镀材料)在高真空环境中加热,沉积在加工基板上,得到薄膜的过程。真空蒸镀工艺主要用于微电子制造有源元件、器件触点和金属互连件、高精度低温度系数薄膜电阻器,以及薄膜电容器的绝缘介质和电极。通过真空蒸发工艺形成各种薄膜是集成电路制造的一项重要技术。还可通过真空蒸发沉积多种材料,例如导电材料、介电材料、磁性材料和半导体材料。


真空蒸发过程

在真空蒸发过程中,系统的真空度直接影响薄膜的质量。为了将蒸发原子或分子沉积在离蒸发源一定距离的基板上, 真空室的真空度通常应优于6×10-2帕。在真空室中,蒸发材料只有在其蒸气压在1Pa以上时才被蒸发。为此,往往需要将蒸发颗粒加热到1000~2000℃;对于一些耐火材料,它必须加热到高达3000°C。常见的加热方式有两种:1 )、直接加热。将高熔点导体(如钼、铌、钨或石墨、氮化硼、硼化钛的混合物)制成各种形状的篮子或舟,将蒸发丸放在上面,用大电流以提高温度。2 )、间接加热。有些材料在高温下可能会被加热的材料腐蚀,因此不应直接放在加热器上。这时,我们可以使用一些耐热且稳定的材料,如氧化铝、氧化钇或氧化锆来制作坩埚。蒸发材料置于坩埚内,加热器通过坩埚加热蒸发材料。


真空蒸发工艺
主要包括电子束蒸发、多源蒸发、瞬时蒸发、激光蒸发、反应蒸发等。
1 、电子束蒸发:电子束在5~10 kV/cm的电场下加速,电子束通过电子透镜聚焦,将坩埚内蒸发材料的温度升高到其蒸发温度。
2 、多源蒸发:根据薄膜的成分,采用两个或多个蒸发源同时加热蒸发材料,沉积在同一基板上。通过控制每个蒸发源的强度,可以获得不同的薄膜成分。
3 、瞬间蒸发:将根据需要制备的多元素材料置于真空室中的特定容器中。当加热器达到预定温度时,将一定量的材料通过进料机构迅速送到达到高温的加热器,瞬间加热,得到一定成分的薄膜。
4 、激光蒸发:用功率密度非常高的激光脉冲照射蒸发材料表面,使材料暴露表面瞬间加热到几千度。在这种高温下,任何材料都会迅速蒸发和蒸发。
5、反应蒸发:在蒸发过程中,一定比例的反应气体(如氧气、氮气等)被引入真空室,蒸发材料的原子在沉积过程中与反应气体结合形成复合膜。


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